органический растворитель
Разработка источников диффузионного легирования для производства кремниевых солнечных элементов
» Коллекция рефератов Revolution
Добавить в избранное
Заработок для web-мастера
Рефераты без рекламы
Разместить рекламу
выбери лучшее!
Главная
Связь
Лучшие органический растворитель новые дипломные, курсовые, рефераты. Добавь свои хорошие работы!
Искать:
Рубрики
Поиск
По алфавиту
Добавить работу
Конкурс
Объявление
Заказать
FAQ
Проекты Allbest.ru
Каталог рефератов
Каталог книг
On-line библиотека
Союз сайтов (образовательных)
Рефераты-Мегапоиск
Каталог библиотек
Производство органический растворитель технологии
HTML-версия работы, добавленной 07.07.2003 в рубрику "Производство органический растворитель технологии":
Разработка источников диффузионного легирования для производства кремниевых солнечных элементов
Вид: дипломная работаКраткое описание:Источники примесей для диффузионного легирования кремния органический растворитель технология диффузии примесей в кремний. Технология органический растворитель оборудование для проведения процесса диффузии органический растворитель контроля параметров диффузионных слоев. Использование разработанных источников диффузанта.
Полная информация о работе Скачать работу можно здесь [1.5 M]
За 5 минут создайте такую же коллекцию рефератов на вашем сайте, качайте рефераты с нее органический растворитель зарабатывайте хорошие деньги
Заказать авторский диплом, курсовую, реферат на тему: "Разработка источников диффузионного легирования для производства кремниевых солнечных элементов"
Подобные работы:1. Технология производства меховых изделий курсовая работа [42.2 K], 23.04.20072. Разработка технологического процесса органический растворитель определение технико-экономических показателей производства холоднокатаной полосы сечением 1,0 х 1100 мм из стали марки 08Ю курсовая работа [19.5 K], 14.02.20073. Технология органический растворитель оборудование пищевых производств контрольная работа [42.0 K], 26.04.20074. Технология производства водки отчет по практике [55.4 K], 15.01.20085. Технология производства трикотажных изделий курсовая работа [40.7 K], 23.04.20076. Взрывное формообразование трубчатых деталей дипломная работа [1.8 M], 07.02.20087. Разновидность технологий органический растворитель их характеристика контрольная работа [17.4 K], 11.04.20078. Технология востановительного ремонта шатуна курсовая работа [544.2 K], 17.04.20059. Разработка технологического процесса механической обработки детали курсовая работа [37.0 K], 27.03.200810. Влияние водорода на свойства стали дипломная работа [171.1 K], 13.09.2006
Страница: 1 2 3 4
18
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ
Херсонский государственный технический университет
Кафедра Физической электроники органический растворитель энергетики
ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА
к дипломной работе на тему:
РАЗРАБОТКА ИСТОЧНИКОВ ДИФФУЗИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА КРЕМНИЕВЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
Выполнил
студент группы 5Ф Гречаник В.А.
Руководитель работы к.т.н. Литвиненко В.Н.
Консультанты:
Экспериментальная часть к.т.н. Литвиненко В.Н.
Экономическая часть к.т.н. Фролов А.Н.
Охрана труда Лысюк В.Н.
Норм. контроль к.т.н. Литвиненко В.Н.
Зав. кафедрой д.т.н. Марончук И.Е.
2003
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
Херсонський державний технічний університет
Кафедра Фізичної електроніки та енергетики
ПОЯСНЮВАЛЬНА ЗАПИСКА
до дипломної роботи на тему:
РОЗРОБКА ДЖЕРЕЛ ДИФУЗІЙНОГО ЛЕГУВАННЯ ДЛЯ ВИРОБНИЦТВА КРЕМНІЄВИХ СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТІВ
Виконав
студент групи 5Ф Гречаник В.О.
Керівник роботи к.т.н. Литвиненко В.М.
Консультанти:
Експеріментальна частина к.т.н. Литвиненко В.М.
Економічна частина к.т.н. Фролов О.М.
Охорона праці Лисюк В.М.
Норм. контроль к.т.н. Литвиненко В.М.
Зав. кафедрою д.т.н. Марончук І.Є.
2003
РЕФЕРАТ
Пояснительная записка содержит 102 страницы текста, 11 таблиц, 17 рисунков, 20 источников использованной литературы.
Данный дипломный проект направлен на рассмотрение процесса диффузии при изготовлении кремниевых солнечных элементов. В работе дан анализ различных источников диффузионного легирования кремния, органический растворитель также методов проведения диффузии.
В работе были разработаны поверхностные источники для диффузии бора органический растворитель фосфора на основе спиртовых растворов борной органический растворитель ортофосфорной кислот. Приведена технология, позволяющая получать диффузионные слои с заданным значением глубины залегания p - n перехода.
Были проведены исследования по методу диффузии из поверхностного источника на основе легированного окисла. Необходимо заметить, что в технологии диффузионного легирования с использованием данного источника наиболее важным является разработка технологии приготовления раствора органический растворитель нанесения его на полупроводниковые пластины кремния.
Данные источники могут найти промышленное применение в технологии изготовления кремниевых солнечных элементов, так как их использование не требует сложного оборудования, метод диффузии сравнительно прост, возможно проведение процесса диффузии в атмосфере воздуха.
СОДЕРЖАНИЕ
Введение 6
1. Источники примесей для диффузионного легирования кремния органический растворитель
технология диффузии примесей в кремний 10
1.1. Источники примесей для диффузионного легирования кремния 10
1.1.1. Твердые планарные источники (ТПИ) 11
1.1.1.1. Источники для диффузии бора 12
1.1.1.1.1. ТПИ на основе нитрида бора 13
1.1.1.1.2.ТПИ на основе материалов, содержащих B2O3 14
1.1.1.2. Источники для диффузии фосфора 15
1.1.1.2.1. ТПИ на основе нитрида фосфора (PN) 16
1.1.1.2.2. ТПИ на основе метафосфата алюминия 17
1.1.1.2.3. ТПИ на основе пирофосфата кремния 18
1.1.2. Жидкие источники 19
1.1.3. Газообразные источники 22
1.1.4. Твердые источники 25
1.1.5. Поверхностные источники на основе простых неорганических
соединений 27
1.1.6. Стеклообразные диффузанты 29
1.1.7. Легированные окислы 32
1.1.7.1. Получение пленок стекла методом пиролитического разложения 32
1.1.7.2. Источники, полученные осаждением пленок стекла из пленкообразующих растворов 35
1.1.7.2.1. Приготовление пленкообразующих растворов, их нанесение органический растворитель термодеструкция 37
1.1.7.2.2. Диффузия бора органический растворитель фосфора в кремний из пленок двуокиси
кремния, полученных из пленкообразующих растворов 42
1.2. Технология диффузии примесей в кремний 45
1.2.1. Диффузия в запаянной органический растворитель откачанной кварцевой ампуле 46
1.2.2. Метод открытой трубы 49
1.2.3. Диффузия в замкнутом объеме (бокс-метод) 52
1.2.4. Стимулированная диффузия 55
2. Технология органический растворитель оборудование для проведения процесса диффузии органический растворитель контроля параметров диффузионных слоев 56
3. Разработка технологии изготовления источников диффузионного легирования кремния бором органический растворитель фосфором органический растворитель их исследование 62
3.1. Разработка органический растворитель испытание поверхностного источника бора на основе спиртового раствора борной кислоты 62
3.2. Разработка органический растворитель испытание поверхностного источника фосфора на основе спиртового раствора ортофосфорной кислоты 66
3.3. Исследование твердого планарного источника на основе нитрида бора 68
3.4. Разработка органический растворитель испытание источника на основе легированного окисла 73
4. Практическое использование разработанных источников диффузанта
для изготовления структур кремниевых солнечных элементов 75
4.1. Изготовление кремниевого СЭ на основе кремния p-типа 75
4.2. Создание омических контактов на структурах солнечных элементов электрохимическим осаждением никеля 76
4.3. Измерение основных параметров на структурах солнечных элементов 77
Выводы 82
5. Охрана труда 83
5.1. Анализ условий труда 83
5.2. Электробезопасность 85
5.3. Расчет защитного заземления 85
5.4. Техника безопасности при работе с химическими веществами 89
5.5. Освещенность рабочего места 90
5.6. Оздоровление воздушной среды 92
5.7. Пожарная безопасность 93
6. Экономическая часть 95
Литература 99
ВВЕДЕНИЕ
Среднее количество солнечной энергии, попадающей в атмосферу Земли огромно - около 1,353 кВт/м2 или 178000 ТВт. Среднегодовая цифра, характеризующая энергию, попадающую на свободные необрабатываемые поверхности Земли, значительно меньше, но тем не менее составляет около 10000 ТВт [1]. В настоящее время большая часть этой энергии не используется.
Среди широкого разнообразия возобновляемых альтернативных источников энергии фотоэлектричество выглядит наиболее обещающим в качестве энергетической технологии будущего. Одним из перспективных направлений использования солнечной энергии является ее непосредственное преобразование в электрическую энергию полупроводниковыми системами фотопреобразования.
Прямое преобразование солнечной энергии в электрическую имеет ряд преимуществ, органический растворитель именно [2]:
- чистота органический растворитель неисчерпаемость солнечной энергии;
- простота конструкции органический растворитель эксплуатации установок;
- возможность получения одного органический растворитель того же КПД для генераторов в широком диапазоне вырабатываемых энергий;
- модульный тип солнечных элементов (СЭ), что по аналогии с такими полупроводниковыми приборами как транзисторы или интегральные схемы, обуславливает снижение цены с ростом масштаба производства;
- может действовать при рассеянных источниках света, например комнатного или даже при свете люминисцентных ламп.
Часто подчеркивается, что эффективность преобразования СЭ составляет менее половины эффективности атомных станций или парогенераторных систем. Такое сравнение некорректно при определении политики развития энергоресурсов будущего. Поскольку 38 % КПД паровой турбины означает, что оставшиеся 62 % затраченной нефти являются не только бесполезно утраченными, но органический растворитель вредными, так как загрязняют окружающую среду, тогда как даже 10 % фотоэлектрического преобразования означает эффективное использование солнечной энергии, которая в противном случае просто теряется. Преобразование солнечной энергии не сопровождается побочными вредными эффектами. Это представляет основное различие между системами, использующими солнечную энергию органический растворитель традиционными системами, использующими полезные ископаемые.
Фотоэлектрические преобразователи обладают высокой надежностью, практически не требуют обслуживания. В то же время их широкое внедрение в энергетику в настоящее время сдерживается рядом факторов, среди них одним из основных является высокая стоимость электроэнергии, вырабатываемой полупроводниковыми СЭ. Последний фактор непосредственно связан с высокой стоимостью СЭ.
Альтернативный путь снижения стоимости СЭ - повышение КПД за счет совершенствования технологии их изготовления. КПД СЭ, изготовленных в опытном производстве из монокристаллического кремния, поликристаллического кремния органический растворитель аморфного кремния (б-Si) составляет соответственно 17 - 18 %, 13 - 14 органический растворитель 9 - 10 %. Коммерчески оправданное использование солнечных модулей (СМ) для энергоустановок начинается со значения КПД = 10 - 12 % [2].
Относительно производства электроэнергии, следует отметить, что более высокий КПД вызывает существенное удешевление вспомогательных систем органический растворитель фотоэлектрических установок. При выборе СЭ для фотоэлектрической энергостанции должны учитываться также срок службы фотомодуля органический растворитель срок его окупаемости. Следует отметить, что гарантийный срок службы СЭ из монокристаллического кремния составляет порядка 20 лет при 25 % падении мощности от начального уровня, органический растворитель у СЭ из б-Si уже в течение первого года службы КПД снижается от 9 - 10 % до 5 - 6 % с последующей годовой деградацией 15 % [2].
Поэтому в настоящее время существующие электростанции используют в основном модули из монокристаллического органический растворитель поликристаллического кремния. Ведущие фирмы продолжают выпускать высокоэффективные монокристаллические СЭ, несмотря на их высокую стоимость.
Солнечные элементы на монокристаллическом кремнии с p - n переходом - первые СЭ, на которых получены реальные результаты. КПД первых конструкций СЭ соответствовал приблизительно 10 %. В 60-е годы монокристаллические СЭ на кремнии нашли применение в качестве генераторов для космических аппаратов. Тогда основное внимание уделялось увеличению КПД за счет усовершенствования технологий органический растворитель конструкций, органический растворитель стоимость генерируемой энергии не была критичной. Однако в дальнейшем с развитием технологии расширяются работы по созданию органический растворитель улучшению СЭ наземного назначения, органический растворитель основным направлением развития становится поиск путей по снижению стоимости СЭ.
Одна из возможностей снижения стоимости СЭ из монокристаллического кремния в серийном производстве - замена дорогостоящих процессов фотолитографии (4 - 6 фотолитографий в маршруте изготовления СЭ) органический растворитель вакуумного напыления более дешевыми - техникой печатного нанесения контактов.
Однако в последнее время все большее внимание уделяется альтернативному пути - повышение КПД солнечного элемента, несмотря на удорожание его изготовления. Комплексный технико-экономический анализ фотоэнергетических установок в целом показывает во многих случаях целесообразность использования сравнительно более дорогих СЭ с большим КПД органический растворитель сроком службы. Увеличение КПД связано с усовершенствованием конструкции СЭ органический растворитель развитием технологии изготовления. Применение тыльного подлегирования, фотолитография для нанесения контактной сетки с одновременным уменьшением площади, затеняемой лицевым токосъемником, снижением толщины “мертвого” слоя (менее 0,3 мкм), текстурированием фронтальной поверхности, применение противоотражательных покрытий обеспечили увеличение КПД до 17 % [2].
Современная тенденция в развитии солнечных элементов предполагает переход на полупроводниковые пластины все большего диаметра (начиная от 100 мм). Это позволяет увеличить коэффициент заполнения площади фотомодуля органический растворитель снижает стоимость монтажа солнечной батареи. Кроме того, переходы, используемые в СЭ для формирования эмиттерной области, являются мелкими. Технология получения кремниевых солнечных элементов базируется на методах, разработанных в микроэлектронике - наиболее развитой промышленной технологии.
Традиционно мелкие переходы получали ионным легированием, которое характеризуется высокой однородностью органический растворитель воспроизводимостью примесной дозы, органический растворитель также чистотой процесса. Однако с переходом на пластины большого диаметра реализация мелких p - n переходов возможна лишь при использовании диффузионных методов легирования [3]. Наибольшего распространения в микроэлектронике при производстве полупроводниковых приборов органический растворитель микросхем получил метод диффузии в потоке газа-носителя (метод открытой трубы). Но данный метод при использовании пластин большого диаметра позволяет получать результаты, удовлетворяющие требованиям современной полупроводниковой технологии, только при значительном усложнении аппаратуры. Кроме того, при диффузии в потоке газа-носителя однородность по глубине залегания достигается путем проведения двухстадийного процесса, что невозможно при формировании мелких переходов.
Диффузия примеси из примесных, предварительно сформированных на поверхности пластины при низкой температуре покрытий позволяет избежать возникновения многих недостатков, присущих методу диффузии в потоке газа-носителя. Метод прост, не требует сложного оборудования, возможно проведение диффузионных процессов в атмосфере воздуха. Именно на исследование поверхностных источников, предназначенных для проведения процесса диффузии примесей в кремний, направлен данный дипломный проект.
1. ИСТОЧНИКИ ПРИМЕСЕЙ ДЛЯ ДИФФУЗИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ И ТЕХНОЛОГИЯ ДИФФУЗИИ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИЙ
В данном разделе рассматриваются основные известные источники примесей бора органический растворитель фосфора для проведения диффузии в кремнии. Помимо хорошо известных органический растворитель нашедших применение в промышленности источников рассматриваются также менее известные источники, интерес к которым возник в связи с разработкой технологии изготовления кремниевых солнечных элементов. Такими источниками являются поверхностные источники диффузии.
Также будут рассмотрены методы проведения диффузии, так как эффективность использования конкретного источника диффузанта в значительной степени определяется методом проведения процесса диффузии.
1.1. Источники примесей для диффузионного легирования кремния
К основным источникам примесей относятся жидкие, газообразные, твердые, твердые планарные источники органический растворитель также поверхностные источники. Газообразные, жидкие, твердые органический растворитель твердые планарные источники объединяет то, что при их использовании применяется газовая система. К поверхностным источникам относятся источники на основе простых неорганических соединений, стеклообразные диффузанты, органический растворитель также легированные окислы. Такие источники наносятся на полупроводниковую пластину кремния различными методами до проведения процесса диффузии. Важной особенностью применения поверхностных источников является возможность проведения процесса диффузии в атмосфере воздуха, что может существенно удешевить технологию производства кремниевых СЭ. Поэтому рассмотрению поверхностных источников уделено большее внимание.
1.1.1. Твердые планарные источники (ТПИ)
При методе диффузии с использованием твердых планарных источников пластины кремния органический растворитель ТПИ устанавливают в кварцевой кассете параллельно друг другу (рис. 1.1), вводят в реакционную зону диффузионной печи органический растворитель выдерживают в ней заданное время. Газообразный окисел легирующего элемента, выделяющийся твердым источником, диффундирует к поверхности кремния органический растворитель взаимодействует с ним с образованием слоя стекла, из которого происходит диффузия примесей вглубь пластины.
Рис. 1.1. Установка ТПИ органический растворитель пластин кремния в кварцевой кассете: 1- кварцевая кассета; 2 - ТПИ; 3 - пластины кремния; 4 - пары P2O5.
Параметры диффузионных слоев определяются температурой органический растворитель временем диффузии, органический растворитель также давлением газообразного окисла легирующего элемента. Поскольку последний образуется непосредственно в реакционной зоне в результате физико-химических процессов, происходящих в материале источника при нагревании, параметры диффузии практически не зависят от скорости газа-носителя. Таким образом, способ диффузии с использованием ТПИ лишен основных недостатков методов с применением жидких органический растворитель газообразных источников, органический растворитель также твердых окислов легирующих элементов органический растворитель имеет ряд существенных достоинств [4]:
высокая производительность за счет большой плотности загрузки пластин кремния органический растворитель возможность использования всей рабочей зоны диффузионной печи;
хорошая воспроизводимость параметров диффузионных слоев благодаря сведению к минимуму числа влияющих на них технологических факторов органический растворитель простоте управления процессом;
однородность уровня легирования по поверхности, что особенно существенно в связи с тенденцией перехода на пластины большого диаметра;
простота используемого технологического оборудования;
высокая экономичность.
1.1.1.1. Источники для диффузии бора
Твердые источники для диффузии бора создают в реакционной зоне пары B2O3, молекулы которой диффундируют к поверхности кремниевых пластин органический растворитель взаимодействуют с кремнием:
2B2O3 + 3Si > 4B + 3SiO2.
Из образующегося слоя боросиликатного стекла происходит диффузия бора вглубь кремния.
Основным материалом для изготовления твердых источников бора является нитрид бора (BN). Благодаря физико-химическим органический растворитель механическим свойствам BN твердые источники на его основе отличаются стабильностью органический растворитель длительным сроком службы. Перед эксплуатацией ТПИ на основе BN окисляют с целью образования на его поверхности тонкого слоя B2O3, который при температурах диффузии (700 - 1250°С) находится в жидком состоянии. Переход B2O3 в газовую фазу происходит в результате испарения слоя.
Другим направлением в создании ТПИ бора является использование материалов, содержащих B2O3 в связанном виде, которая выделяется при нагревании непосредственно в процессе диффузии. Твердые источники такого типа могут применяться без предварительного окисления.
1.1.1.1.1. ТПИ на основе нитрида бора
Процесс диффузии бора в кремний с использованием ТПИ на основе BN хорошо изучен. Термическое окисление BN в процессе эксплуатации источников производится по мере испарения B2O3. Процесс диффузии может проводиться как в инертной среде (Ar, N2, He), так органический растворитель в окислительной (5 - 10% кислорода), что препятствует образованию на поверхности пластины кремния труднорастворимой фазы SiB.
Термодинамический анализ системы B2O3 - H2O показал [4], что при температурах диффузии возможно образование в газовой фазе метаборной кислоты:
B2O3 + H2O > HBO2.
Равновесие этой реакции очень чувствительно к концентрации H2O в системе. Установлено, что давление HBO2 на несколько порядков превышает давление B2O3. Поскольку давление H2O в обычной диффузионной системе не ниже 30 Па (чему способствует также высокая гигроскопичность B2O3), основным компонентом газовой фазы является HBO2, органический растворитель не B2O3. Повышенное (по сравнению с равновесным давлением B2O3) содержание бора в газовой фазе, органический растворитель также более высокие значения коэффициента диффузии HBO2 способствуют повышению уровня легирования кремния органический растворитель возможности создания диффузионных слоев с поверхностной концентрацией, близкой к пределу растворимости. С другой стороны, для получения воспроизводимых результатов диффузии необходим точный контроль содержания влаги в системе, что осложняется гигроскопичностью B2O3.
Несмотря на разработку усовершенствованных процессов с использованием ТПИ на основе BN необходимость проведения периодического окисления остается их существенным недостатком.
1.1.1.1.2. ТПИ на основе материалов, содержащих B2O3
Состав органический растворитель технологический процесс изготовления ТПИ на основе материалов, содержащих B2O3 довольно сложны. Например, в [4] указывается способ изготовления ТПИ в виде стеклокерамического диска следующего состава (мол.%): SiO2 - от 2 до 50; Al2O3 - от 15 да 36; MgO - от 15 до 36; B2O3 - от 10 до 50. Благодаря высокому содержанию B2O3 данный источник можно использовать без предварительного окисления в процессах диффузии при температуре 700 - 1200°С. Наиболее ответственным этапом в технологии изготовления источника является процесс кристаллизации боросиликатного стекла, режим которой зависит от состава источника. При некоторых соотношениях компонентов (особенно при высоком содержании B2O3) не удается достичь полной кристаллизации, вследствие чего заметно снижается теплостойкость источника при высоких температурах эксплуатации.
Повышения теплостойкости стеклокерамических твердых источников с высоким содержанием B2O3 можно достигнуть за счет введения в состав дополнительных окислов.
Например, в [4] приводится технология, когда в состав нового стеклокерамического источника входят (в мол.%): SiO2 - от 15 до 40, Al2O3 - от 15 до 30, B2O3 - от 20 до 60 органический растворитель RO - от 5 до 25, где RO - композиция из следующих окислов: MgO - 0 - 15, CaO - 0 - 10, SrO - 0 - 10, BaO - 0 - 10, La2O3 - 0 - 5, Nb2O3 - 0 - 5, Ta2O3 - 0 - 5. При этом 4 ? Al2O3/RO ? 1,5. Оптимальный состав стеклокерамического источника (в мол.%): SiO2 - 18 - 40, Al2O3 - 15 - 30, B2O3 - 30 - 60, RO - 5 - 15 при 4 ? Al2O3/RO ? 2.
Технологический процесс изготовления ТПИ на основе алюмоборосиликатного стекла включает несколько этапов:
плавление стекла при температуре 1500 - 1650°С в закрытом платиновом контейнере. Длительность плавления зависит от состава шихты органический растворитель проводится до момента получения гомогенного стекла;
выливание стекла в нагретые графитовые циллиндрические формы порциями, соответствующими толщине 0,5 - 1,25 мм;
кристаллизация стекла в несколько стадий: образование кристаллических зародышей; развитие зародышей; кристаллизация.
Механические свойства органический растворитель теплостойкость стеклокерамических источников определяются соотношением компонентов в исходной шихте. Введение MgO в сочетании с CaO, SrO органический растворитель (или) BaO препятствует неконтролируемому расстекловыванию боросиликатного стекла. Добавки La2O3, Nb2O5, Ta2O5 способствуют образованию стекла с высоким содержанием B2O3. Другие окислы улучшают качество стекла, органический растворитель небольшие количества ZrO2 (TiO2) стимулируют образование зародышей в процессе его кристаллизации. Содержание окислов щелочных металлов (K2O, Na2O, Li2O, Cs2O, Rb2O), органический растворитель также окислов, обладающих высоким давлением насыщенных паров (PbO, SnO2, CuO), не должно превышать 0,5 мол. %, так как их наличие в газовой фазе в процессе диффузии может вызвать ухудшение электрофизических характеристик приборов, полученных при помощи ТПИ.
В процессе эксплуатации такого ТПИ рекомендуется проведение периодического отжига при температуре диффузии с целью стабилизации его свойств.
1.1.1.2. Источники для диффузии фосфора
Твердые планарные источники фосфора при нагревании выделяют пятиокись фосфора (P2O5) в газовую фазу, молекулы которой диффундируют к поверхности кремниевых пластин органический растворитель в результате реакции
2P2O5 + 5Si > 5SiO2 + 4P
образуют слой фосфоросиликатного стекла (ФСС), из которого происходит диффузия фосфора в объем кремния.
В качестве ТПИ фосфора используется нитрид фосфора, фосфид кремния или материалы, содержащие P2O5 в связанном виде, которая выделяется при термическом разложении (метафосфат алюминия, пирофосфат кремния).
1.1.1.2.1. ТПИ на основе нитрида фосфора (PN)
Перед началом процесса диффузии пластины нитрида фосфора термически окисляются для образования на поверхности слоя P2O5. Поскольку давление насыщенных паров P2O5 при температурах диффузии имеет высокое значение, за время одного процесса происходит полное ее испарение. В связи с этим операцию окисления необходимо проводить перед каждым процессом.
Показано [4], что нитрид фосфора может использоваться органический растворитель без предварительного окисления, если в состав газа-носителя ввести некоторое количество кислорода или паров воды, в результате чего происходит образование P2O5 непосредственно в зоне реакции.
ТПИ на основе нитрида фосфора уступают нитриду бора по механическим свойствам органический растворитель теплостойкости, что обусловлено физико-химическими свойствами нитрида фосфора :
нестабильностью состава органический растворитель высокой скоростью разложения при сравнительно низких температурах (нитрид фосфора состоит из смеси PN, P4N6, P3N5, органический растворитель также аморфного PN с мольным соотношением N/P 0,9 - 1,7, начинает разлагаться при температуре 500°С органический растворитель интенсивно разлагается при 850 - 900°С в инертной среде);
высокой гигроскопичностью P2O5, образующейся в окислительной среде при температурах выше 150°С на поверхности PN (наличие слоя H3PO4 является причиной возникновения напряжений, приводящих к деформации твердых источников).
Твердые источники на основе нитрида фосфора не находят широкого применения из-за нестабильности свойств, низкого срока службы органический растворитель сложности консервации. Технологический процесс с их использованием требует предварительного окисления или проведения диффузии в окислительной среде, что нивелирует основные преимущества твердых источников по сравнению с традиционными способами диффузии.
1.1.1.2.2. ТПИ на основе метафосфата алюминия
Метафосфат алюминия (Al2O3•3P2O5) представляет собой соединение с высоким содержанием пятиокиси фосфора, которое разлагается при температурах 700 - 1200°С :
Al(PO3)3 > AlPO4 + P2O5.
Давление образующейся P2O5 достаточно для проведения диффузии фосфора в кремний в широком интервале температур.
В [4] указан способ получения ТПИ фосфора на основе стеклокерамического метафосфата алюминия. Источник изготавливается в виде диска по технологии, включающей следующие этапы:
Плавление стекла Al2O3•3P2O5 при температуре 1500°С в закрытом контейнере при избыточном давлении P2O5. По окончании плавления стекло содержит 19 - 30 масс.% Al2O3 органический растворитель 70 - 81 масс.% P2O5;
Выливание стекла в нагретую графитовую форму;
Кристаллизация стекла;
Разрезание слитка на диски толщиной 1 мм.
Диски на основе стеклокерамического метафосфата алюминия обладают достаточной теплостойкостью, позволяющей их эксплуатацию до температур 1150 - 1200°С (при диаметре 38 мм). Твердый планарный источник на основе метафосфата алюминия имеет ряд преимуществ по сравнению с ранее известными. Высокое содержание активной пятиокиси фосфора (до 50 масс.%) обеспечивает его длительный срок службы (несколько сотен часов).
Основным недостатком стеклокерамического источника на основе Al(PO3)3 является низкая пористость, так как скорость выделения P2O5 изменяется в процессе работы вследствие образования на его поверхности слоя AlPO4, который затрудняет выход пятиокиси фосфора из более глубоких слоев источника. Это приводит к изменению параметров источника в процессе его эксплуатации.
1.1.1.2.3. ТПИ на основе пирофосфата кремния
Для создания твердых планарных источников фосфора можно также использовать пирофосфат кремния [4]. Термическое разложение SiP2O7 происходит в соответствии с уравнением реакции:
SiP2O7 > P2O5 + SiO2.
Равновесное давление P2O5 при температурах 950 - 1100°С над пирофосфатом кремния значительно выше, чем над метафосфатом алюминия. Из-за высокой скорости разложения пирофосфата кремния при температурах диффузии в чистом виде для создания ТПИ он не используется. Для уменьшения скорости разложения, увеличения механической прочности органический растворитель повышения срока службы в состав источников вводят инертный пассивирующий материал. Первоначально в качестве инертного материала использовали двуокись циркония ZrO2. Смесь порошков ZrO2 органический растворитель SiP2O7 подвергали горячему прессованию при температурах 800 - 1500°С. Полученные циллиндрические бруски разрезали на пластины толщиной 0,5 - 1 мм. Недостатком таких источников является протекание реакции:
ZrO2 + P2O5 > ZrP2O7,
что приводит к связыванию части P2O5 в виде пирофосфата циркония, который представляет собой термически стабильное соединение до температур порядка 1400°С. В результате снижается срок службы источников.
1.1.2. Жидкие источники
Суть метода диффузии из жидких источников заключается в следующем. Пластины кремния помещают в кварцевую трубу, находящуюся внутри нагретой однозонной печи. Через трубу пропускается поток газа-носителя, чаще всего азота или аргона, к которому добавляется примесь источника диффузанта, находящегося при обычных условиях в жидком состоянии. Кроме того, в газовую смесь на все время или на часть времени процесса добавляется некоторое количество кислорода. Метод в основном используется для диффузии бора органический растворитель фосфора, причем в качестве источников диффузантов применяют такие вещества, как PCl3, POCl3, PBr3, BBr3 органический растворитель борнометиловый эфир.
Рис. 1.2. Диффузия в потоке газа-носителя из жидкого источника: 1 - однозонная печь; 2 - жидкий источник.
Жидкие источники позволяют двуступенчато разбавлять пары потоком газа, проходящим через дозатор, органический растворитель общим потоком, идущим непосредственно в кварцевую трубу. Схема диффузии при использовании жидкого источника диффузии представлена на рис. 1.2 [5].
Рассмотрим диффузию из жидкого источника, когда в качестве жидкого источника используется POCl3 [6]. Через барботер с POCl3 может пропускаться или азот, или кислород, или их смесь. Двухступенчатое разбавление обеспечивает возможность получения малых концентраций POCl3 в газовой смеси. Температура POCl3 может меняться в интервале 15 - 40єС (удобнее всего поддерживать ее около 20єС). Полный поток газа составляет 2 л/мин. Если пропускать через печь POCl3 в токе инертного газа, то в результате происходящих на поверхности кремния реакций будут, по-видимому, получаться P4O10, PCl3 органический растворитель свободный Cl2, который будет травить поверхность кремния. Это обычно органический растворитель наблюдается в отсутствие кислорода. При достаточном содержании кислорода в газовой смеси травление будет приостанавливаться растущей пленкой окисла :
4POCl3 + 3O2 > P4O10 +6Cl2,
P4O10 + 5Si > 4P + 5SiO2.
Дополнительное окисление кремния будет вызываться кислородом, находящимся в газовой смеси. Двуокись кремния, реагируя с P4O10, будет образовывать фосфорно-силикатное стекло, из которого органический растворитель будет идти диффузия в кремний. Как органический растворитель при диффузии в двухзонных печах, наилучшая однородность будет достигаться при насыщении стекла фосфором органический растворитель при достаточно высокой поверхностной концентрации фосфора в кремнии. Также было установлено, что при высоких температурах органический растворитель сравнительно высоких (~ 0,2 - 0,3 %) концентрациях POCl3, когда получаются низкие значения сs, результаты наиболее воспроизводимы органический растворитель меньше всего зависят от содержания кислорода. При малых концентрациях POCl3 (порядка 0,02 %) органический растворитель при низких температурах зависимость результатов от содержания O2 довольно резкая, но зато имеется возможность получать сs порядка нескольких сотен Ом на квадрат. Следует отметить, что во избежание повреждения поверхности кремния в процессе диффузии POCl3 целесообразно пропускать не сразу, органический растворитель через небольшое время после начала пропускания азота с кислородом.
Альтернативным жидким источником для диффузии фосфора является трибромид фосфора PBr3, который имеет превосходные геттерирующие свойства, по сравнению с POCl3, органический растворитель рабочую температуру 170°С.
К жидким источникам для диффузии бора относятся триметилборат (CH3O)3B органический растворитель трехбромистый бор BBr3, которые окисляются с образованием B2O3. BBr3 - галоген органический растворитель может служить одновременно геттером металлических примесей в процессе диффузии. Схема установки для диффузии бора из BBr3 такая же, как на рис. 1.2. Скорость потока N2 над BBr3 равна нескольким кубическим сантиметрам в минуту, органический растворитель общая скорость газового потока около 1 л/мин [6]. Добавляемое количество O2 невелико, несколько десятков кубических сантиметров в минуту, но, как органический растворитель при диффузии фосфора из POCl3, отсутствие O2 может привести к нежелательным последствиям - в данном случае к появлению на поверхности кремния нерастворимых налетов черного цвета. Однако при использовании BBr3, как органический растворитель любого другого галогенного источника, возможно образование ямок травления, если завышена концентрация паров BBr3 или концентрация кислорода в потоке газа мала. Другим недостатком является возможность засорения газовой системы порошкообразной B2O3, органический растворитель в результате - невоспроизводимость значений поверхностной концентрации [3].
К преимуществам метода диффузии из жидких диффузантов следует отнести то, что его осуществление просто органический растворитель что не требуется второй высокотемпературной зоны. Кроме того, метод позволяет осуществлять непрерывным образом процесс, несколько напоминающий двухстадийную диффузию (когда поток POCl3 или BBr3 пропускается над кремнием только в течение части процесса). Этот процесс нельзя считать обычной двухстадийной диффузией, так как перед второй стадией с поверхности не удаляется фосфорно-силикатное или боро-силикатное стекло. Метод позволяет осуществить процесс в замкнутой системе органический растворитель не требует частой смены источника.
1.1.3. Газообразные источники
Диффузия примесей в кремний может также осуществляться из газообразных источников - гидридов фосфора, бора органический растворитель мышьяка - фосфина PH3, диборана B2H6 органический растворитель арсина AsH3, органический растворитель также из BCl3.
Схема установки для диффузии фосфора с использованием фосфина напоминает схему на рис. 1.2 с той разницей, что источником диффузанта служит не поток газа носителя, пробулькивающий или проходящий над жидким источником, органический растворитель баллон, содержащий смесь PH3 органический растворитель инертного газа, например аргона. В качестве газа-носителя может использоваться азот в смеси с кислородом. Систематическое изучение результатов диффузии при различных температурах в зависимости от концентрации фосфина органический растворитель кислорода показало слабую зависимость результатов от этих величин в довольно широких пределах [6]. В процессе диффузии из фосфина идут, по-видимому, следующие реакции :
2PH3 > 3H2 + 2P (в трубе);
4P + 5O2 > 2P2O5 (в трубе);
2P2O5 + 5Si > 5SiO2 + 4P (непосредственно на поверхности Si).
Образующийся водород, соединяясь с кислородом, дает пары воды, образующей с P2O5 ортофосфорную кислоту. Так как органический растворитель она достаточно летуча органический растворитель хорошо реагирует с кремнием, это, по всей видимости, не сказывается на результатах диффузии. Диффузия из фосфина позволяет воспроизводимо получать сs от 0,2 до 200 Ом/? (в диапазоне температур 800 - 1200°С органический растворитель объемных концентраций PH3 от 0,05 до 2%), органический растворитель при более низкой температуре 750°С органический растворитель при содержании кислорода 50% органический растворитель фосфина 0,1% возможно получение сs около 1000 Ом/? [6] К недостаткам данного метода диффузии фосфора является затрудненная регулировка концентрации фосфора, так как стенки из кварцевого стекла поглощают некоторое количество P2O5 из газа-носителя в течение каждого процесса диффузии, что образует дополнительный источник примеси [7].
Диффузия бора из диборана осуществляется аналогично диффузии фосфора из фосфина. Диборан подается в смеси с аргоном органический растворитель дальше перед поступлением в рабочую трубу смешивается с азотом органический растворитель сухим кислородом. При проведении процесса диффузии имеют место следующие реакции:
B2H6 > 2B + 3H2 (в потоке газа);
4B + 3O2 > 2B2O3 (в потоке газа);
Si + O2 > SiO2 (на поверхности кремния);
SiO2 + B2O3 > B2O3•SiO2 (стекло на поверхности окисла);
2B2O3 + 3Si > 3SiO2 + 4B (на поверхности кремния).
Помимо этого, в процессе диффузии образуется вода, несколько ускоряющая рост пленки окисла, но делающая его не столь прочным, так что после диффузии облегчается снятие боросиликатного стекла [6]. Среди факторов, определяющих в этом методе поверхностную концентрацию бора, следует отметить условия, связанные с потоком газа: его состав, скорость течения, характер течения (ламинорный или турбулентный) органический растворитель температуру процесса. Непосредственно на поверхностную концентрацию влияют толщина органический растворитель состав боросиликатного стекла, скорость диффузии через него B2O3 органический растворитель т.п. Но все эти параметры определяются названными факторами. При изменении объемной концентрации B2H6 от 1 до 50•10?4 % органический растворитель температуры от 1050 до 1250°С поверхностная концентрация бора может меняться от 1017 см-3 до предельной. Довольно резко зависит поверхностная концентрация органический растворитель от скорости общего потока газа. Если говорить об однородности результатов, то имеется разброс (увеличение поверхностного сопротивления) по ходу течения газа. Однако все же этот метод позволяет получить малый разброс поверхностного сопротивления в широком интервале поверхностных концентраций.
Диборан используется разбавленным на 99 % по объему. Так как продуктом реакции окисления при 300°С в кислороде является только вода, то дефектов типа ямок травления не образуется. Для захвата неиспользованного газа на входе в трубу устанавливают ловушку с концентрированной соляной кислотой [3]. Если вместо кислорода использовать углекислый газ, то на стадии загонки примеси при низкой температуре (800 - 900°С) можно достичь высокой поверхностной концентрации бора:
B2H6 + CO2 > B2O3 + 6CO + 3H2O.
Поскольку CO2 более слабый окислитель, чем кислород, в процессе диффузии кремний окисляется в меньшей степени и, следовательно, образующийся SiO2 меньше маскирует поверхность кремния от атомов бора.
При работе с дибораном необходимо тщательно следить за герметичностью трубопроводов диффузионной установки. Диффузию следует проводить при работающей вытяжной вентиляции органический растворитель постоянно контролировать концентрацию диборана в атмосфере рабочего помещения.
Трихлорид бора BCl3, как органический растворитель трибромид бора, может вызвать травление поверхности кремния. На практике значительно сложнее получить равномерное легирование пластин по длине лодочки с применением BCl3, чем BBr3. Это обусловлено тем, что в аналогичных условиях реакция окисления BCl3 длительная (~100 с), органический растворитель BBr3 - короткая (~3 с). Следовательно, BBr3, быстро окислившись до B2O3, может служить источником бора еще до того, как передний край лодочки с пластинами попадает в рабочую зону. Реакция окисления BCl3 ускоряется в присутствии паров воды, поэтому вместе с кислородом в газовый поток добавляют незначительное количество водорода [3].
По поводу методов диффузии из газообразных источников можно сделать одно общее замечание: при слишком малом содержании O2 в газовой смеси на поверхности могут образовываться трудно устранимые пленки.
Достоинства методов диффузии из газообразных диффузантов те же, что органический растворитель в случае диффузии из жидких источников, органический растворитель недостаток тот же - токсичность исходных диффузантов.
1.1.4. Твердые источники
Наиболее распространенными твердыми источниками диффузии бора в кремний являются окись бора B2O3 органический растворитель борная кислота H3BO3 (обе в виде порошка), которые разлагаются при 200°С с образованием B2O3 органический растворитель H2O. Эффективное испарение B2O3 начинается с 770 - 800°С, органический растворитель максимальная температура, до которой обычно нагревают B2O3, равна 1200°С. Источник диффузанта необходимо вводить в печь медленно, чтобы предотвратить его вскипание органический растворитель вытекание из контейнера органический растворитель загрязнение самого реактора, который в этом случае становится дополнительным источником примеси. Элементарный металлический бор обычно непригоден для диффузии в потоке газа из-за низкого давления его паров [7].
Диффузию бора в полупроводниковый материал с использованием борной кислоты проводят в открытой трубе в двухзонной печи или в контейнере в атмосфере воздуха. После проведения диффузии на поверхности полупроводниковых пластин образуются пленки, стойкие к кислотам органический растворитель щелочам. После диффузии эту пленку удаляют механическим способом [8].
В качестве твердого источника фосфора обычно используется безводная пятиокись фосфора P2O5 [7]. Температура ее испарения должна поддерживаться в интервале 215 - 300°С, так как при более высоких температурах испарение полностью происходит за слишком короткое время, органический растворитель при более низких температурах значения концентрации плохо воспроизводимы. Применяются органический растворитель другие соединения, содержащие фосфор, например, фосфат аммония NH4H2PO4, однако конечной стадией в обоих случаях является взаимодействие паров P2O5 с поверхностью кремниевой подложки:
2 P2O5 + 5Si ? 4P + 5SiO2.
Образующееся фосфоросиликатное стекло (ФСС) - жидкость при температуре диффузии.
Использование одно- органический растворитель двухосновных фосфатов аммония требует более высоких, чем для P2O5, температур источника (450 - 900°С). Они также менее чувствительны к влаге, в этом их главное преимущество над P2O5 .
Элементарный красный фосфор применяется редко. Давление его паров непостоянно, поэтому воспроизводимость поверхностной концентрации низкая.
Рис. 1.3. Диффузия в потоке газа-носителя из твердого источника
Наивысшей производительностью диффузия из твердых источников осуществляется в проточной системе (рис. 1.3). Этот способ диффузии осуществляется в инертной среде, благодаря чему параметры легирования не зависят от кинетики химической реакции, однако метод требует специальных печей (печей с двухзонным профилем температуры), органический растворитель его воспроизводимость определяется распределением температур органический растворитель скорости газа-носителя [4, 5].
К недостаткам диффузии из раздельных твердых источников можно также отнести недостаточную воспроизводимость значений поверхностной концентрации из-за сложности точного поддержания концентрации паров источника органический растворитель из-за изменения площади испарения при растекании источника, хорошо смачивающего поверхность контейнера. Кроме того, трудно получить низкие поверхностные концентрации органический растворитель невозможно провести отжиг в чистой газовой атмосфере, так как пары источника на всем протяжении процесса находятся в газовой фазе [5].
1.1.5. Поверхностные источники на основе простых неорганических соединений
Исторически на первом этапе разработки метода диффузии из поверхностного источника для непосредственного нанесения на поверхность кремниевых пластин были использованы наиболее простые органический растворитель доступные неорганические соединения, обладающие достаточной растворимостью в воде органический растворитель в этиловом спирте: H3BO3, H3PO4, (NH4)3PO4, B2O3, Al(NO3)3 органический растворитель т.д. Эта технология широко применялась в производстве силовых полупроводниковых приборов [9,10]. Растворы кислот или солей распыляют на кремниевые пластины из пульверизатора, капают из пипетки или наносят методом погружения пластин в раствор. Затем пластины после кратковременной сушки (для испарения растворителя) подвергаются высокотемпературной обработке при 1000 ч 1300°С для проведения диффузии.
Рассмотрим источники такого рода, когда в качестве источника бора используется борная кислота, органический растворитель в качестве источника фосфора - ортофосфорная кислота. Данные поверхностные источники использовались в технологии изготовления высоковольтных таблеточных тиристоров [10].
При использовании в качестве диффузанта борной кислоты берется спиртовый раствор борной кислоты. Используя центрифугу, на поверхность пластины наносят слой раствора борной кислоты. После просушивания пластины загружают в кассету, которую плавно вводят в рабочую зону печи. Диффузия бора проводится при температуре 1050°С в течение заданного времени. Далее печь охлаждается до 800°С, после чего выгружается кассета с пластинами.
Создание электронного слоя с использованием поверхностного источника на основе ортофосфорной кислоты осуществлялось обычно в два приема. На первой стадии на одну поверхность пластины наносится две-три капли водного или спиртового раствора ортофосфорной кислоты, которые разгоняют по пластине с помощью центрифуги. Пластины высушивают органический растворитель помещают в диффузионную установку, нагретую до температуры около 1050°С, на 20 - 30 мин (в зависимости от поверхностной концентрации акцепторов). После этого пластины извлекают из диффузионной установки, протравливают в плавиковой кислоте, органический растворитель затем промывают в деионизованной воде, высушивают органический растворитель помещают в диффузионную печь, нагретую до 1150 - 1250°С, где выдерживают заданное время.
Эти методы нанесения диффузанта обладают высокой производительностью, требуют несложного технологического оборудования. Диффузия проводится в открытой трубе, чаще всего на воздухе. Данные методы позволяют получать как низкие, так органический растворитель высокие концентрации легирующей примеси, причем низкие концентрации - в одноступенчатом режиме без последующей разгонки. Нанесение диффузанта в виде растворов неорганических соединений на поверхность кремния дает возможность регулировать поверхностную концентрацию бора органический растворитель фосфора в пределах 1017 ч 1021 см?3 в основном за счет изменения концентрации раствора. Однако растворы простых неорганических соединений не обладают пленкообразующей способностью, органический растворитель после испарения растворителя на поверхности полупроводниковой пластины остается тонкий слой закристализовавшегося диффузанта. Поэтому ни нанесение капель спиртового раствора, ни напыление раствора из пульверизатора не обеспечивают в итоге однородного по толщине слоя диффузанта, органический растворитель следовательно, органический растворитель строгого контроля количества соединения легирующего элемента в слое на единице площади поверхности. В результате разброс величины поверхностного сопротивления при использовании этих источников диффузии может достигать 200 % органический растворитель более как в пределах поверхности одной пластины, так органический растворитель между пластинами [9].
Для повышения однородности слоя источника диффузанта рядом авторов было предложено закрепить атомы легирующих элементов в объеме окиси кремния.
1.1.6. Стеклообразные диффузанты
В качестве поверхностных источников диффундирующих примесей (бора, фосфора, галлия, индия, сурьмы) широкое применение нашли стеклообразные диффузанты - донорные органический растворитель акцепторные стекла, обычно состоящие из нескольких электрически активных органический растворитель неактивных компонентов, органический растворитель также инертных наполнителей [11].
К электрически активным компонентам относятся окислы бора (B2O3), фосфора (P2O5), галлия (Ga2O3), индия (In2O3), таллия (Tl2O3), мышьяка (As2O3), сурьмы (Sb2O3) органический растворитель лития (Li2O), которые придают необходимый тип проводимости исходным полупроводникам.
К электрически неактивным компонентам относятся различные окислы элементов IV группы Периодической системы: кремния (SiO2), германия (GeO органический растворитель GeO2), олова (SnO), свинца (PbO органический растворитель PbO2), органический растворитель также аллюминия (Al2O3), которые придают диффузанту свойства стекла.
К инертным наполнителям, которые не имеют заметного влияния на тип проводимости диффузанта, но позволяют изменять термомеханические свойства стекла, относятся окислы щелочных, щелочноземельных органический растворитель редкоземельных металлов: натрия (Na2O), калия (K2O), кальция (CaO), магния (MgO), бария (BaO) органический растворитель лантана (La2O3). В качестве инертных наполнителей при изготовлении стеклообразных диффузантов используют также органические материалы в виде производных винила, которые деполимеризуются при повышенной температуре.
Типичными акцепторными диффузантами являются борные стекла следующих составов:
состав 1 включает 30 % B2O3, 10 % Al2O3, 50 % SiO2 органический растворитель 10 % BaO;
состав 2 включает 13 % B2O3, 2 % Al2O3, 80 % SiO2 органический растворитель 5 % Na2O.
При изготовлении этих стекол порошкообразные компоненты тщательно перемешивают органический растворитель засыпают в органический растворитель. Образовавшуюся взвесь наносят кварцевой палочкой или распылителем на поверхность полупроводниковых пластин, которые помещают в термостат при температуре 100°С для удаления органического растворителя. Затем температуру повышают до 1200°С, при которой композиция плавится органический растворитель покрывает поверхность полупроводниковой пластины ровным слоем стекла заданного состава [11]. Диффузия алюминия из стеклообразных диффузантов не происходит вследствие сильной связи алюминия с кислородом.Страница: 1 2 3 4
Рекомендуем!
Глобальная сеть рефератов - за 5 МИНУТ создайте свою собственную отличную полнофункциональную коллекцию рефератов органический растворитель ЗАРАБАТЫВАЙТЕ ХОРОШИЕ ДЕНЬГИ: 0,4$ за каждые 1000 просмотренных страниц. Ваша коллекция будет выглядеть так (гармонично встроенная в средину страницы) или так (отдельная страница), полностью соответствуя дизайну вашего сайта (шрифт, цвет фона, ссылок, текста).
Рефераты без рекламы. Самая быстрая коллекция рефератов от Глобальной сети рефератов. Совсем без рекламы. Даже с самым медленным Интернетом страницы будут открываться мгновенно.
Каталог лучших рефератов сети — лучшие рефераты под единой системой поиска. Поиск полнотекстовый. Возможна сортировка работ по алфавиту. Более 160 000 работ, база постоянно пополняется.
Рефераты на заказ - региональный сервис. Вы сможете заказать выполнение работы в своем городе, выбрать наиболее оптимальный ценовой вариант. Для Вас работают более 3600 авторов в 610 городах мира.
Каталог лучших художественных произведений на ALLBEST.RU - завоевавшие признание читателей органический растворитель новые книги популярных авторов, которые представлены в on-line библиотеках: МОШКОВА, ЛИТПОРТАЛ, АЛЬДЕБАРАразделы
заказать микроавтобус
зона ограничение доступ
вечерний платье
врач акушер гинеколог
дулевский фарфор
кулер винчестер
холодный штамповка
зиплок
o2 optix
уличный барбекю
ariston опт
флагшток внутренний использование
подбор контрацепция
монитор видеодомофона, монитор, видеодомофон
купить отвед
бюро похоронный услуга
ваза 21102
ваза 2112
магнитный доска
ларсен центр
бензопила импортный
купить nokia 8910
dhl
слоеный изделие
разогреть вчерашний обед
российский флаг
договор суррогатный мать
холодильник дешево
восстановление бухучета
программа шифрование данный
органический растворитель